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2.打开修改器

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5.关闭修改器(不然容易闪退)

以上就是没有记录的使用方法，希望能帮助大家。

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外，已经跟圣人没区别了，想死都难。

> 厂商新闻《心智观察所：真相比情绪重要，误读中国光刻机正在伤害真正的进步》特朗普继续对日本施压：日本需要开放市场 时间：2025-11-22 09:32

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【文/观察者网专栏作者 心智观察所】

2025年11月于上海举办的第八届中国国际进口博览会上，全球半导体设备龙头ASML公开展示了其面向主流芯片市场的全景光刻解决方案，其中两款先进的DUV（深紫外）光刻机台——TWINSCAN XT:260和TWINSCAN NXT:870B 成为关注焦点。

其中最受关注的是即将推出的XT:260，这是一款基于双工作台技术、采用XT4平台的i-line光刻系统，具有双倍视场曝光功能，主要用于先进封装领域。某科技大V之前曾在网络平台发文“光刻机是拿来用的不是拿来展的”，这种选择性解读和逆向推理，恰恰反映出当前舆论场中一个危险的倾向：用民族情绪和想象力代替技术理性，用“战略模糊”掩盖真实差距。

让我们回到技术本身。光刻机作为半导体制造的核心设备，其复杂程度远超一般人的想象。以ASML在上一届进博会展示的NXT:1470光刻机为例，照明波长为193nm，分辨率≤57nm，套刻精度≤4.5nm，而中国工信部推广的国产氟化氩光刻机，分辨率≤65nm，套刻精度≤8nm。表面上看，差距似乎不大，但这位大V没有告诉读者的是，NXT:1470在ASML的产品序列中只是中端产品，ASML最新的NXT:2100i分辨率已经达到38nm，套刻精度0.9-1.3nm，而极紫外（EUV）光刻机的分辨率更是低至8nm。

更关键的是，光刻机的技术难度绝不仅仅体现在分辨率这个单一指标上。一台现代光刻机是集光学、机械、电子、软件、材料等多学科于一体的超精密系统工程。以ASML的EUV光刻机为例，整机包含超过10万个零部件，涉及5000多家供应商，软件代码行数以亿计。这不是简单的“组装”问题，而是需要在纳米级精度下实现各个子系统的完美协同。

前道光刻机和后道光刻机在技术难度上存在着数量级的差异，这是这位大V刻意回避的事实。前道光刻机用于在硅片上制造晶体管，需要极高的分辨率和套刻精度，因为现代芯片的晶体管尺寸已经缩小到几纳米。而后道光刻机主要用于封装，虽然也需要精度，但要求相对宽松得多。ASML这次展示的XT:260就是一款封装光刻机，曝光区域为26x33毫米，采用两倍掩模缩小技术，与前道光刻机的四倍缩小完全不在一个技术层次。

将后道封装设备的进展等同于前道制造设备的突破，就像把造自行车的能力等同于造汽车一样荒谬。中国在封装领域确实取得了不错的进展，但这与攻克前道光刻机技术是两码事。

软件系统是光刻机的灵魂，这是外界最容易忽视的部分。ASML的光刻机运行着极其复杂的控制软件，包括光学校准、对准系统、光源控制、工件台运动控制等数十个子系统，每个子系统都需要精确到纳秒级的时序控制和纳米级的位置控制。这些软件不是简单的代码堆砌，而是包含了ASML几十年来积累的工艺知识和调试经验。

这就引出了一个关键问题。在前不久心智观察所主办的“中国半导体出海新航道高峰论坛”上，芯率智能联合创始人蒋晓军就指出光刻机不是造出来就能用的，更重要的是调试和调校。一台光刻机从组装完成到真正能够稳定量产，通常需要6-12个月的调试期。在这个过程中，工程师需要对数千个参数进行优化，解决各种意想不到的问题。温度变化0.001度可能影响套刻精度，振动增加几个纳米可能导致成像模糊，光源功率波动0.1%可能影响曝光均匀性。这些问题的解决不是靠理论计算，而是需要大量的实际运行数据和调试经验。

更进一步，国产光刻机若想真正形成可持续的产业能力，必须依托本土客户的共同参与与配合。光刻机并非简单的设备买卖，其性能发挥、稳定度提升以及长期优化，根本上依赖真实生产线的大量运行数据。在这一点上，中国大陆制造的光刻机要想成熟，必须发展起愿意共同试产、共同调试、共同迭代的本土客户群。

只有这些本土晶圆厂在真实工况下协助原厂进行设备跑通、工艺适配、参数优化与持续 debug，才能积累起支撑设备稳定量产的工艺数据库与经验体系。这正是光刻机产业生态的核心：设备厂商与客户并不是单纯买卖关系，而是深度绑定的协同进化关系。

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